Китайские ученые разработали новую технологию для устройств памяти

Китайские исследователи обнаружили новый механизм разработки энергонезависимых запоминающих устройств со сверхвысокой скоростью, сообщил Институт физики Китайской академии наук (CAS).

Разработка высокопроизводительных запоминающих устройств сыграла ключевую роль в современных электронных инновациях. Устройства энергонезависимой памяти, включая постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) и флэш-память, обладают большой емкостью и механической надежностью. Но их производительности мешает низкий коэффициент гашения и низкая скорость работы.

Группа исследователей из Института физики разработала энергонезависимые запоминающие устройства с плавающим затвором со сверхвысокой скоростью, основанные на гетероструктурах Ван-дер-Ваальса с атомарно острыми интерфейсами между различными функциональными элементами, с коэффициентом экстинкции до 10 миллиардов.

Такие устройства памяти могут выполнять операции чтения и записи в диапазоне 20 наносекунд и хранить данные не менее десяти лет. Современные коммерческие устройства флэш-памяти считывают и записывают данные в диапазоне 100 микросекунд.

Гетероструктуры Ван-дер-Ваальса изготавливаются путем наложения различных слоистых материалов и могут использоваться в различных областях исследований, от материаловедения до электрохимии.

Исследование, финансируемое Национальным фондом естественных наук Китая, Министерством науки и технологий и CAS, было опубликовано в журнале Nature Nanotechnology.

Читайте новости науки