Китайские исследователи обнаружили новый механизм разработки энергонезависимых запоминающих устройств со сверхвысокой скоростью, сообщил Институт физики Китайской академии наук (CAS).
Разработка высокопроизводительных запоминающих устройств сыграла ключевую роль в современных электронных инновациях. Устройства энергонезависимой памяти, включая постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) и флэш-память, обладают большой емкостью и механической надежностью. Но их производительности мешает низкий коэффициент гашения и низкая скорость работы.
Группа исследователей из Института физики разработала энергонезависимые запоминающие устройства с плавающим затвором со сверхвысокой скоростью, основанные на гетероструктурах Ван-дер-Ваальса с атомарно острыми интерфейсами между различными функциональными элементами, с коэффициентом экстинкции до 10 миллиардов.
Такие устройства памяти могут выполнять операции чтения и записи в диапазоне 20 наносекунд и хранить данные не менее десяти лет. Современные коммерческие устройства флэш-памяти считывают и записывают данные в диапазоне 100 микросекунд.
Гетероструктуры Ван-дер-Ваальса изготавливаются путем наложения различных слоистых материалов и могут использоваться в различных областях исследований, от материаловедения до электрохимии.
Исследование, финансируемое Национальным фондом естественных наук Китая, Министерством науки и технологий и CAS, было опубликовано в журнале Nature Nanotechnology.
Читайте новости науки
Читайте обзоры:- Huawei FreeBuds 4: беспроводные «уши» для инопланетян
- Gelius Pro Index Pro Blue – умные весы с 15 параметрами измерений
- Goodram HX100 – внешний скоростной SSD c USB 3.2 Gen.2