Екс-керівник Samsung нібито злив комерційну таємницю компанії Foxconn

Минулого місяця колишньому співробітнику Samsung Electronics було пред’явлено звинувачення у ймовірному витоку секретів компанії до конкуруючих фірм. Південнокорейська прокуратура розкрила нові подробиці, стверджуючи, що колишній керівник Samsung мав намір використати викрадені дані для підтримки Foxconn у створенні заводу з виробництва мікросхем у Китаї.

Особа, про яку йдеться, була ідентифікована як Чхве Джин Сог, повідомляє Reuters. Хоча в початковому обвинувальному висновку не було розкрито жодних імен, згодом у ЗМІ з’явилися повідомлення про зв’язок Чоя з Foxconn через його зв’язок з компанією. В обвинувальному висновку йдеться про те, що фірма Чоя, Jin Semiconductor, яка уклала контракт з Foxconn у 2018 році, отримала конфіденційну інформацію про мережу постачальників Samsung, комерційну таємницю та управління чистими приміщеннями.

Звинувачення проти Чхве Джин Сога: Витік секретів компанії

Як повідомляється, Чхве переманив значну кількість співробітників з Samsung та її філій з метою незаконного отримання інформації. Він також отримав інформацію про чисті приміщення через Чо Янг-Сіка, співробітника Samoo Architects & Engineers, дочірньої компанії Samsung C&T, яка займається архітектурним проектуванням та управлінням будівництвом. Крім того, Чой нібито отримав креслення заводу Samsung від співробітника HanmiGlobal.

Хоча обвинувачення стверджує, що викрадена інформація мала допомогти Foxconn у будівництві заводу з виробництва мікросхем у Китаї, адвокат Чоя стверджує, що завод так і не був побудований. Адвокат стверджує, що інформація, яку отримав Чой, не стосується проектування чи виробництва мікросхем, і вказує на те, що галузеві стандарти для будівництва чистих приміщень є у відкритому доступі. Foxconn, Samoo Architects & Engineers і HanmiGlobal не були причетні до жодних правопорушень.

Чхве Джин Сог, колись видатний діяч південнокорейської індустрії виробництва мікросхем, зробив успішну кар’єру в компанії Samsung, де відіграв ключову роль у розробці мікросхем пам’яті DRAM і технології обробки пластин. Пізніше він приєднався до SK Hynix на посаді директора з технологій. Як повідомляється, завод Foxconn був призначений для виробництва 20-нм мікросхем пам’яті DRAM із запланованою виробничою потужністю 100 000 пластин на місяць. Важливо зазначити, що звинувачення проти Чхве Джин Сога є предметом судового розгляду і подальшого розслідування.