Samsung разработала 14-нм память LPDDR5X DRAM для смартфонов
Samsung Electronics первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения.
DRAM
Линус выступает против политики Intel по запрету памяти ECC
Линус Торвальдс, изобретатель системы Linux, выступил на мероприятии с критикой нынешней политики Intel по запрещению использования памяти с автоматическим исправлением ошибок ECC на потребительских платформах.
Transcend MTS430S и MTS830S – твердотельные M.2-накопители для ультрабуков
Твердотельные накопители Transcend MTS430S и MTS830S созданы на основе самой современной технологии TLC 3D NAND, оснащены интерфейсом SATA III 6 Гбит/с и DRAM-кэшем на основе микросхем DDR3.
ADATA проводит розыгрыши и распродажи
ADATA Technology, ведущий производитель высокоэффективных модулей DRAM, продуктов NAND Flash и мобильных аксессуаров, проводит ADATA Day, посвященный 18-летию компании, а также проведению ребрендинга.
ADATA SD600Q – быстрый и ударостойкий внешний SSD
ADATA SD600Q имеет отличные показатели скорости чтения/записи, которые достигают 440 МБ в секунду, что вчетверо выше, чем у традиционных жестких дисков.
Samsung объясняет функцию Super Slow-Mo на Galaxy S9
Samsung опубликовал официальное сообщение в блоге, в котором объясняется, как получена функция Super Slow-mo на Galaxy S9 (S9+).
Комплектующие для Samsung Galaxy S9+ стоят всего 376 долларов
Samsung Galaxy S9+ является самым дорогим смартфоном, когда-либо выпущенным корейским высокотехнологичным гигантом. Он почти такой же дорогой, как iPhone X. Однако, согласно данным IHS Markit, компоненты, используемые для изготовления телефона, стоят почти 376 долларов.
Камера для суперзамедленной съемки Samsung Galaxy S9 доступна для других производителей
Новый Samsung Galaxy S9 оснащен новым датчиком камеры ISOCELL Fast 2LR, который позволяет записывать супер-замедленное видео со скоростью 960 кадров в секунду в HD-разрешении. Стало известно, что он доступен другим производителям смартфонов.
Samsung начала массовый выпуск передовых чипов DDR4 DRAM на 8 ГБ
Samsung Electronics начала массовое производство передовых микрочипов памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM ёмкостью 8 гигабайт.
iPhone X оценили в 413 долларов
iPhone X поступит в продажу в начале ноября по цене от 1000 долларов, но китайские исследователи уже оценили стоимость смартфона согласно спецификаций iPhone X и производственной цепочки. Расходы на производство гаджета составляют 412,75 долларов.
Samsung запускает массовое производство первой в индустрии DRAM-памяти 10-нанометрового класса
Samsung Electronics объявила о серийном производстве первых в индустрии 8-гигабитных (Гб) чипов DDR4 (double-data-rate-4) памяти 10-нанометрового (нм) класса и предназначенных для них модулей.
Samsung запускает массовое производство самой быстрой в мире DRAM-памяти
Samsung Electronics анонсировала запуск массового производства первой в индустрии DRAM-памяти на 4 гигабайта (ГБ), основанной на втором поколении интерфейса высокой пропускной способности памяти (HBM2).
Samsung удерживает лидерство на рынке DRAM-памяти 22 года
С 1992 года южнокорейская корпорация Samsung Electronics удерживает лидерство на рынке чипов динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM). За второе место борются компании SK hynix и Micron.
ADATA XPG DDR3 1600МГц CL9 8ГБ – модули памяти для оверклокинга
Тайваньская компания ADATA Technology Co в очередной раз совершает прорыв в развитии модулей памяти для оверклокинга и выпускает одинарный модуль памяти объемом 8ГБ с частотой 1600 МГц CL9 и двойной модуль памяти объемом 16ГБ.
KINGMAX представляет модуль памяти DDR3 Nano Gaming Ram 2400МГц 4ГБ
Модули NANO Gaming RAM оснащены радиаторами на базе нанотехнологии, которая повышает эффективность охлаждения на 10% по сравнению с традиционными продуктами
Transcend представляет DRAM с 2-гигабитными DDR3 высокой плотности
Transcend Information сообщила о запуске трёх новых модулей памяти 4GB DDR3 DRAM, которые используют 2-гигабитные (2 Гб/с) микросхемы DDR3 высокой плотности: DDR3 1333 МГц DIMM обычного размера, DDR3 1333 МГц SO-DIMM для мобильных систем и DDR3 1066 МГц SO-DIMM.
Samsung увеличивает объем инвестиций на 2010 год до рекордного показателя более 22 млрд.долл.
Компания начала строительство предприятия Line-16 по производству полупроводников, а также готовится к пуску новой линии по производству ЖК-панелей
Растут цены на память
В тот же день, когда компания Kingston Technology предсказала рост спроса на DRAM-память в третьем квартале, эксперты из DRAMeXchange выступили с заявлением, что цены на данные чипы могут возрасти от десяти до пятнадцати процентов уже в ближайшие недели.
Производство DRAM-памяти в мире сократилось на 32%
Производители DRAM-памяти принимают решительные меры в ответ на резкое снижение спроса на чипы DRAM-памяти . Компания DRAMeXchange считает, что мировые производственные мощности по выпуску чипов сократились на 32% по сравнению с пиком производства во втором квартале 2008 года. Тайваньские производители…