Компания Toshiba объявила о выпуске новых модулей флэш-памяти типа NAND, емкостью 16 Гбит (2 Гб) и 8 Гбит (1 Гб), изготовленных с применением 56-нм техпроцесса, технология которого была разработана в сотрудничестве с компанией SanDisk Corporation. На сегодняшний день емкость в 16 гигабит является рекордной для флэш-памяти типа NAND.
В конце 2006 года Toshiba совершила переход от опытного производства к промышленному, в настоящее время компания преступила к серийному производству 8-гигабитных чипов, которые уже поступили в продажу. При производстве чипов используется технология многоуровневого расположения запоминающих ячеек MLC (multi-level cell), которая позволяет существенно увеличить емкость чипа, при сохранении его размеров. Начало поставок 16-гигабитных чипов ожидается к концу первого квартала этого года.
Особенности технологии:
Внедрение 56-нм техпроцесса и технологии многоуровневого расположения запоминающих ячеек (MLC) позволило увеличить емкость одного чипа до 16 гигабит при сохранении размеров, что вдвое больше результатов, достигнутых при использовании 70-нм техпроцесса.
Повышение производительности программирования в сочетании с эффективностью современных технологий дало возможность увеличить скорость записи до 10 мегабайт в секунду, что вдвое больше, чем скорость записи предыдущих продуктов компании, использующих многоуровневое расположение запоминающих ячеек.
Согласно официальному пресс-релизу компании, в результате применения новой технологии достигнуто увеличение записываемой за один раз страницы с 2 112 байт до 4 314 байт и уменьшено время записи за счет сокращения периода обработки данных.
Спецификация моделей TC58NVG3D1DTG00 / TC58NVG4D1DTG00:
Объем памяти: 8 Гбит / 16 Гбит;
Напряжение питания: Vcc=2,7-3,6 В;
Размер страницы: 4096 + 218 байт;
Время записи: 0,8 мс на страницу;
Время стирания: 2 мс на блок;
Время доступа: 30 нс последовательный доступ (минимум) – 0,05 мс первый доступ (максимум);
Тип корпуса: 48-контактный TSOP Type I;
Размеры: 12 x 20 x 1,2 мм.
