Поки світові виробники лише намагаються масово освоїти 300-шарові чіпи, Samsung Electronics створила справжній напівпровідниковий «хмарочос», успішно завершивши розробку прототипу 900-шарової 3D NAND флеш-пам’яті. Ця технологія дозволить створювати SSD неймовірної місткості для ШІ-фабрик та серверів, що є критично важливим для індустрії у 2026 році.
Революція щільності даних: Samsung розробила прототип 900-шарової 3D NAND
Південнокорейські профільні медіа повідомили про фундаментальний технологічний успіх компанії Samsung Electronics. Світовий лідер у виробництві мікросхем пам’яті успішно завершив розробку та перевірив робочі характеристики комірок першого у світі робочого прототипу 900-шарової надвисокоукладеної 3D NAND флеш-пам’яті.
Цей прорив закладає основу для створення терабайтних накопичувачів нового покоління з безпрецедентною щільністю запису, які покликані задовольнити голод сучасних систем штучного інтелекту (On-Device AI та LLM) до швидкісного зберігання великих масивів даних.
Технологія CMB: як побудувати напівпровідниковий хмарочос
Для досягнення фантастичного показника у 900 шарів інженери Samsung відмовилися від класичного послідовного нарощування шарів на одній пластині, що призводило до критичного рівня браку. Замість цього було застосовано передову архітектуру Cell Multilayer Bonding (CMB):
-
Технологія з’єднання чіпів: Фахівці Samsung взяли два окремі високотехнологічні 450-шарові 3D NAND-кристали і фізично з’єднали їх в єдину монолітну структуру.
-
Подолання деформації: Головним викликом під час інтеграції двох таких масивних напівпровідникових структур була деформація кремнієвої пластини під час виробництва прототипів. Samsung вирішила цю проблему за допомогою впровадження спеціального інженерного механізму «верхнього патрона».
-
Ідеальне накладання шарів: Будь-яке мінімальне відхилення під час стекування кристалів могло повністю знищити працездатність пам’яті. Щоб усунути помилки точного вирівнювання, компанія застосувала кардинально нову технологію корекції накладання.
Зниження енергоспоживання та оптимізація розмірів
Окрім досягнення рекордної щільності, архітектурні зміни позитивно вплинули на фізичні та експлуатаційні характеристики чипа. Завдяки суттєвому вдосконаленню та оптимізації топології бітових ліній (BL — Bit Line) та ліній слів (WL — Word Line), інженерам вдалося значно знизити загальне енергоспоживання мікросхеми та зменшити її фізичні габарити порівняно з теоретичними аналогами.
Перевірка робочих характеристик комірок пам’яті у виготовленому зразку підтвердила повну життєздатність та високу стабільність структури.
HiTech Expert Take
Для HiTech Expert ми підсумовуємо: розробка 900-шарового прототипу 3D NAND від Samsung — це технічний тріумф, який визначає вектор розвитку індустрії СХД на роки наперед. У часи, коли обсяги ШІ-даних зростають у геометричній прогресії, ринку потрібні надмісткі та енергоефективні SSD. Технологія ковзного стекування CMB дозволить створювати серверні накопичувачі місткістю 128 ТБ і більше в стандартному форм-факторі. Це серйозний удар по позиціях конкурентів (SK hynix та Micron) і чітка заявка Samsung на абсолютне технологічне лідерство в епоху дата-центрів нового покоління.
