Шесть соток умещается на кончике пера

Шесть соток, иначе говоря, 600 квадратных метров – площадь, хорошо знакомая каждому россиянину. Именно столько выделяли в приснопамятные времена всем тем, кто желал построить «фазенду» в пригороде и проводить летний отдых, сочетая приятное времяпрепровождение на природе с выращиванием овощей и фруктов на приусадебном «пятачке».

В те же самые времена, лет 20-30 назад, на обложках школьных учебников физики красовался полупроводниковый транзистор – небольшой цилиндрик с тремя ножками, на базе которого любители радиотехники собирали незамысловатые по нынешним меркам транзисторные приемники.

Вы спросите, к чему этот экскурс в историю? И как это связано с современными полупроводниковыми технологиями? Терпение, через минуту вам все станет ясно!

Давайте представим себе тот самый транзистор, который по площади укладывался в четверть квадратного сантиметра (т.е. в одну клеточку в обычной школьной тетрадке), и вообразим, что у нас есть десять миллионов таких транзисторов. Если не размещать их «впритык», а оставлять между ними небольшие зазоры, то на шести дачных сотках как раз и поместятся 10 миллионов транзисторов – тех самых базовых элементов электроцепей, которые еще каких-то двадцать лет назад активно использовались при создании транзисторных приемников и прочих электробытовых приборов…

Представили себе эту впечатляющую картину – 6 соток земли, плотно засеянной транзисторами, ножки которых соединены проводниками в строго определенном порядке, чтобы построенная система могла выполнять вычислительные задачи? А теперь уменьшите данную композицию до размеров кончика шариковой ручки – 1 мм2, – и вы получите представление о том, что такое современные полупроводниковые CMOS-транзисторы, изготовленные в корпорации Intel по технологическому процессу 65 нм.

В конце ноября корпорация Intel объявила о создании первой в мире ячейки памяти SRAM (Static Random Access Memory — статической оперативной памяти) емкостью 4 Мб с использованием технологии 65 нм – технологии следующего поколения для промышленного производства транзисторов. Массовое производство чипов по этой технологии с использованием подложек диаметром 300 мм начнется в 2005 году и еще на несколько лет «приглушит» голоса скептиков, предвещающих скорую кончину закона Мура.

Ячейка памяти состоит из шести транзисторов и занимает площадь в 0,57 квадратных микрона (0,46х1,24 микрона). Она была создана в рамках 65-нм техпроцесса, который объединяет несколько последних достижений Intel: высокопроизводительные транзисторы с невысоким потреблением энергии, второе поколение технологии «напряженного кремния», позволяющей повысить рабочие токи транзисторов и их быстродействие при увеличении себестоимости всего на 2%, а также восемь слоев высокоскоростных медных соединений и диэлектрического материала с малой величиной диэлектрической проницаемости, позволяющего повысить скорость распространения сигналов в кристалле и снизить энергопотребление процессора.

65-нм технология была разработана и протестирована на фабрике корпорации Intel D1D в Хиллсборо (шт. Орегон) – новейшей и самой большой фабрике Intel, одной из четырех, где используются 300-мм пластины. Фабрика D1D обладает крупнейшим среди подобных фабрик особо чистым помещением, занимающим площадь 176 тысяч кв. футов (примерно 3,5 футбольных поля). D1D будет также использоваться для разработки и производства микропроцессоров по следующей, 45-нм технологии Intel.

Новые крошечные ячейки памяти позволяют значительно увеличить кэш-память процессоров при сохранении размеров кристалла, что, в свою очередь, приводит к росту быстродействия. Испытания показали, что новые ячейки памяти работают очень стабильно с невысоким уровнем шума и практически безошибочным переключением из одного состояния в другое («включен-выключен»).

Вот уже много лет корпорация Intel обеспечивает справедливость закона Мура, вводя в действие новый технологический процесс каждые два года. Нынешний технологический прорыв состоялся даже с опережением графика – всего через 20 месяцев после объявления в марте 2002 года о выходе ячейки SRAM, изготовленной по техпроцессу 90 нм, который корпорация Intel уже в самое ближайшее время начинает использовать для массового производства микропроцессоров.

Успеху способствовала и деятельность собственной группы корпорации Intel по изготовлению литографических масок, которая сыграла ключевую роль в создании усовершенствованных масок, позволивших применить сегодняшнее поколение литографического оборудования (193-нм установки) для 65-нм технологического процесса. Усовершенствованные маски с так называемым фазовым смещением позволяют с помощью 193-нм литографии, используемой сегодня для производства элементов микросхем по 90-нм процессу, изготавливать элементы размером менее 40 нм.

Каждый новый технологический процесс — это микрореволюция, предусматривающая существенную перестройку технологических линий для массового производства процессоров. Чтобы стабильно — раз в два года — обеспечивать почти полуторакратное уменьшение размеров всех схем микропроцессора, приходится каждый раз придумывать что-то поистине революционное. В 2001 году от алюминиевых соединений перешли к медным, в 2003 вместо обычного кремния в транзисторе стали использовать «напряженный кремний», в 2007 году в рамках 45-нм техпроцесса вместо диоксида кремния в затворе транзистора будет использоваться специально созданный в лабораториях корпорации Intel диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью, а электрод затвора будут делать из специального сплава металлов. Все эти «небольшие технологические революции» исследователи корпорации Intel совершают с одной целью – сделать процессоры более мощными и менее дорогими, чтобы удовлетворить постоянно растущие запросы конечных пользователей.

Realme и Цитрус презентовали Украине свои новые товары, которые гармонично вольются в семью бренда: телевизоры realme TV, смартфон ХЗ, фитнес-трекер realme Band, модели наушников — Buds Air Neo и Buds Q, смарт часы, портативные батареи.

Смотрите обзор Huawei P40 lite ― старшего братишки Huawei P40 lite E.


-->