Samsung совершил прорыв в производстве DRAM

Компания Samsung добилась существенного повышения уровня производительности памяти DRAM, произведенной по 0,10-микронному технологическому процессу. Инженерам Samsung удалось решить ключевую проблему с диэлектриком – диоксидом алюминия (Al2O3). Ранее сообщалось, что Samsung испытывает определенные трудности в технологическом 0,10-микронном процессе производства DRAM, связанные с переходом от использования диэлектрика оксида-нитрида-оксида (ONO) к двуокиси алюминия.

По словам представителей компании, использование новой технологии позволит увеличить производительность новых устройств DRAM на 80%. Практическим результатом этого прорыва заводы компании, расположенные на Тайване, смогут увеличить производство 256-мегабайтных запоминающих устройств на 1 млн. единиц в месяц, сообщил DigiTimes.

Лидерами новых разработок в мобильной связи являются Huawei, Qualcomm и Oppo, а POCO отделился от Xiaomi и представил в Украине POCO M3 на Snapdragon 662.

Что делать, если пульт от телевизора не работает.

-->