План розгортання виробництва оперативної пам’яті наступного покоління від компанії Samsung Electronics набув чітких інфраструктурних обрисів. За повідомленнями інсайдерських джерел видання ZDNET Korea, південнокорейський гігант спільно з пулом міжнародних b2b-партнерів завершує проектування унікального літографічного обладнання для випуску сьомого покоління 10-нанометрової пам’яті, відомої під маркуванням 1d (1-delta) DRAM.
Згідно із затвердженим графіком, Samsung планує розпочати початкову інженерну підготовку ліній у першій половині наступного (2027) року, а монтаж та запуск виробничих верстатів на гігафабриках у Пхьонтеку намічено на другий або третій квартал 2027 року. Перші комерційні партії кремнієвих пластин зійдуть із конвеєра найраніше наприкінці наступного року.
🧱 Технологічні параметри: Екстремальне звуження до 10 нанометрів
Перехід на архітектуру 1d DRAM маркує чергову перемогу інженерів над фізичними обмеженнями кремнію на наноуровні. Новий вузол суттєво перевершує поточні комерційні рішення:
-
Ширина лінії: У сьомому поколінні 1d DRAM ширину провідникової лінії вдалося стиснути до екстремальних 10–11 нанометрів. Для порівняння: шосте покоління пам’яті (1c DRAM), яке зараз активно домінує на ритейл-ринку, має ширину лінії в районі 11–12 нанометрів.
-
Енергоефективність та швидкість: Що менша ширина лінії транзистора, то меншу напругу струму необхідно подавати на кристал. Архітектурне стиснення вузла 1d DRAM дозволить підвищити пропускну здатність пам’яті на 18% та знизити струми витоку, що гарантує ультимативний контроль енергоспоживання в серверних стійках.
🔌 Розвінчання міфів та підготовка до ШІ-ери 2029 року
Раніше в напівпровідниковій індустрії циркулювали чутки, що Samsung може запустити масовий випуск 1d DRAM уже наприкінці поточного 2026 року, оскільки компанія успішно провела внутрішні оцінки та відлила перші початкові прототипи чіпів. Проте експерти визнали ці очікування передчасними. Ключове високоточне обладнання (включаючи специфічні EUV-літографи екстремального ультрафіолету) все ще перебуває в стадії фінальних R&D-тестів на заводах постачальників, тому графік транзиту технології було змінено на користь 2027 року.
[Поточний статус: Тести зразків] ➔ [Н2 2026: Фіналізація специфікацій] ➔ [Н1 2027: Підготовка фабрик] ➔ [Q2-Q3 2027: Монтаж ліній] ➔ [Кінець 2027: Старт масового виробництва]
Стратегічна цінність 1d DRAM виходить далеко за межі звичайної оперативної пам’яті для смартфонів Galaxy чи ноутбуків. Цей техпроцес розробляється як магістральний донор для ШІ-індустрії: 1d DRAM стане основним базовим чіпом (Core Die) для створення високошвидкісної багатошарової пам’яті дев’ятого покоління — HBM5E.
Комерціалізація та масові поставки стеків HBM5E для суперкомп’ютерів заплановані на 2029 рік. Вони будуть інтегруватися безпосередньо на підкладку графічних процесорів ($GPU$) наступних поколінь для обробки терабайтних мовних моделей ШІ.
HiTech Expert Take
Для HiTech Expert ми робимо важливий фінансово-технічний підсумок: оприлюднення графіку 1d DRAM від Samsung — це наочний маркер того, як Big Tech формує свої довгострокові плани на кінець поточного десятиліття. На тлі того, як OpenAI витрачає рекордні $34 мільярди на рік на обчислювальні потужності, напівпровідникові гіганти змушені інвестувати мільярди в розробку обладнання під техпроцеси, які принесуть прибуток лише у 2027–2029 роках.
З інженерної точки зору, стиснення пам’яті до 10 нанометрів без переходу на радикально нові матеріали — це ювелірна робота. По суті, Samsung витискає останні краплі можливостей із класичної кремнієвої архітектури, перш ніж повністю перевести пам’ять у тривимірний простір 3D DRAM, так само як вони роблять це з логічними 3D Stacked FET. Стабільність обсягу виробництва (Yield Rate) на лініях у Пхьонтеку буде головним викликом для інженерів наступного року.
Для українського IT-ринку та GovTech-спільноти, яка зараз за підтримки Мінцифри та AI HOUSE збирає аналітику щодо вітчизняних технологій, корейський кейс є чудовою демонстрацією поняття «промисловий горизонт планування». Створення ШІ-сервісів на кшталт Diia.AI або платформи Мрія сьогодні спирається на залізо поточного покоління, але архітекторам баз даних уже зараз потрібно закладати алгоритми під майбутні терабайтні швидкості пам’яті HBM5E. Samsung чітко дає зрозуміти ринку: інфраструктурний ШІ-фундамент для 2029 року закладається безпосередньо в цехах вже сьогодні, у червні 2026-го.
