Intel и Micron теперь выпускают многоуровневые модули флэш-памяти класса NAND

0
182 views

Intel и Micron Technology сегодня объявили о том, что их совместное предприятие IM Flash Technologies приступило к выпуску опытных партий передовых многоуровневых модулей (Multi-Level Cell, MLC) флэш-памяти класса NAND на основе 50-нанометровой производственной технологии.

Размеры микросхемы и ячеек памяти в новых флэш-компонентах MLC NAND подходят для использования в современных вычислительных и бытовых электронных устройствах, которые становятся все более компактными и эффективными. Опытные образцы микросхем, изготовленные по 50-нанометровой технологии MLC, будут иметь емкость 16 Гбит и пополнят семейство продукции на базе 50-нанометровой технологии SLC (Single-Level Cell), в которое входят модули емкостью 4 Гбит, уже поставляемые обеими компаниями.

Новые модули MLC NAND стали результатом продуктивного сотрудничества компаний Intel и Micron на протяжении последнего года; за этот период создана сеть современных заводов по выпуску 300-миллиметровых подложек для производства флэш-памяти, кроме того, достигнуты значительные успехи в создании модулей флэш-памяти класса NAND на базе производственной технологии с проектной нормой меньше 40 нанометров.

Читайте также:
Sony выпустила систему BRAVIA Theatre RHT-G800

cybersecurity.ru