Toshiba запустит производство флэш-памяти типа NAND по 43-нм проектным нормам

Намереваясь опередить компанию Samsung Electronics в технологической гонке, Toshiba планирует в конце 2007/начале 2008 года запустить производство флэш-памяти типа NAND по 43-нм проектным нормам. Переход на более прецизионные нормы позволит Toshiba существенно сократить удельную стоимость микросхем, получаемых с кремниевой пластины.

По оценкам издания Nikkei business daily, при 43-нм производстве количество чипов, получаемых с одной пластины, увеличивается примерно на 40% по сравнению с 56-нм. Таким образом, Toshiba будет иметь потенциальный 40-процентный запас по снижению цен на свою продукцию, что даст ей неоспоримые преимущества перед конкурентами. Как известно, на данный момент технологическим лидером в этой отрасли является компания Samsung, которая еще в марте начала отгрузки образцов 50-нм NAND-чипов.

Потеснит ли Toshiba своего главного конкурента в технологической гонке? Успеет ли она вовремя и без задержек перейти на инновационное производство? Пока ответить на эти вопросы сложно, ведь сам производитель еще даже официально не подтвердил о своих планах по переходу на 43 нм. Источник утверждает, что к концу текущего года Toshiba построит завод для 43-нм производства в юго-западной префектуре Мие (Mie Prefecture), что в Японии. Этот завод станет четвертым по производству чипов памяти в Японии.

Читайте также:

Xacti S70 — новая цифровая компактная фотокамера от Sanyo Electric Co., Ltd.

Новый 600-Вт блок питания для игровых ПК OCZ StealthXStream от OCZ Technology Group

3dnews

-->