Samsung начала массовое производство первого в индустрии 3D V-NAND флеш-накопителя емкостью 256 Гбит

Компания Samsung Electronics анонсировала старт массового производства первого в индустрии 256-гигабитного, трехмерного (3D) V-NAND флеш-накопителя, который базируется на матрице из 48 слоев трехбитных многоуровневых ячеек (MLC) и предназначен для накопителей (SSDs).

«С выходом наших V-NAND флеш-накопителей третьего поколения на мировой рынок мы отныне можем предоставлять лучшие передовые решения для технологий памяти с еще более высокой эффективностью благодаря улучшенной производительности, мощности и снижению уровня потребления энергии, тем самым ускоряя рост высококонкурентного  рынка накопителей (SSDs), – сказал Янг-Хен Чжун (Young-Hyun Jun), президент департамента устройств памяти Samsung Electronics. – Используя превосходные характеристики  V-NAND устройств от Samsung в полной мере, мы расширим наше присутствие на рынке премиум-класса в промышленном сегменте, сегменте хранения данных, а также на потребительском рынке, продолжая укреплять нашу стратегическую направленность на SSD».

48-layer 256Gb V-NAND_1

Новый Samsung 3D V-NAND флеш-накопитель с объемом памяти 256 Гбит удваивает плотность записи информации традиционных 128-гигабитных NAND флэш-чипов. В дополнение к предоставленным 32 ГБ (256 Гбит) для хранения памяти на одной матрице, новый чип также удвоит объем памяти существующей SSD линейки от Samsung и станет идеальным решением для многотерабайтных накопителей (SSDs).

Компания Samsung представила второе поколение V-NAND чипов (32-слойные трехбитные многоуровневые ячейки (MLC) V-NAND) в августе 2014 года и выпустила третье поколение V-NAND чипов (48-слойные трехбитные многоуровневые ячейки (MLC) V-NAND) всего через один год, сохраняя лидерские позиции в сфере 3D памяти.

В новом V-NAND чипе в каждой ячейке используется та же технология 3D Charge Trap Flash (CTF), в которой ячейки матрицы расположены вертикально, формируя 48 уровней, которые электрически связаны через 1,8 млрд отверстий в каналах, проходящих через матрицу благодаря специальной технологии. В общей сложности каждый чип содержит более 85,3 млрд ячеек. Каждая из них способна хранить 3 бита данных, что составляет более 256 млрд бит данных, другими словами, 256 ГБит на чипе размером не больше кончика пальца.

48-layer 256Gb V-NAND_2
48-слойные трехбитные многоуровневые ячейки (MLC) V-NAND чипов потребляют более чем на 30 процентов меньше энергии по сравнению с 32-слойными трехбитными многоуровневыми ячейками (MLC) 128-гигабитных V-NAND чипов, храня то же количество данных. В процессе работы новый чип также обеспечивает примерно на 40 процентов больше производительности в сравнении с его 32-слойным предшественником. В результате чего ценовая конкурентоспособность нового чипа на рынке SSD значительно выше, хотя используется в основном то же оборудование.

Компания Samsung планирует выпускать/производить третье поколение V-NAND чипов до конца 2015 года, что позволит ускорить внедрение терабайтных накопителей (SSD). Предоставляя потребителям накопители с плотностью памяти в два терабайта и выше, в планах компании Samsung также увеличение продаж в промышленном сегменте, сегменте хранения данных с помощью передовых PCIe с поддержкой спецификации NVMe и SAS интерфейсов.