Samsung начала выпуск 4Гб DDR3 RAM памяти на основе 20-нм техпроцесса

Samsung сообщила о начале массового производства новой 4-гигабитной DDR3 RAM памяти.

Новые чипы позиционируются производителем в качестве «наиболее продвинутой DDR3 памяти», основанной на 20-нм техпроцессе.

Об этом пишет HITech.Expert со ссылкой на mobiset.ru

В чипах используется улучшенная технология двойного структурирования с иммерсионной ArF-литографией, которая будет применяться корейцами и при создании следующего поколения DRAM-памяти на основе 10-нм техпроцесса.

Новые чипы на 25% энергоэффективнее предыдущей 25-нм DDR3-памяти.