В рамках мероприятия ISSCC (International Solid-State Circuits Conference), которое состоится в феврале следующего года в Сан-Франциско, южнокорейские компании Samsung Electronics и SK Hynix представят свои новые достижения в области памяти.
В частности, Samsung впервые продемонстрирует маломощную оперативную память DDR4 SDRAM для смартфонов. Компания готовит доклад, в ходе которого её представитель расскажет о 8-Гбит LPDDR4-микросхемах с производительностью 3,2 Гбит/с в расчете на один контакт при напряжении питания 1 В. Эти чипы будут выполнены с использованием 25-нм техпроцесса. Ожидается, что новинки начнут вытеснять LPDDR3-память в смартфонах и других мобильных устройствах уже в следующем году. Кроме того, Samsung представит самую маленькую в мире SRAM-ячейку. Она выполнена на 14-нм FinFET-транзисторах и имеет площадь всего 0,064 мм2.
Об этом пишет HITech.Expert со ссылкой на 3dnews.ru
В свою очередь, SK Hynix впервые расскажет о своей так называемой памяти с высокой пропускной способностью (HBM, High-Bandwidth Memory). 8-Гбит модуль включает четыре полупроводниковых кристалла, соединенных по технологии TSV (Through Silicon Vias). 29-нм чип обеспечивает производительность 128 Гбайт/с при напряжении питания 1,2 В.
Другие производители памяти также покажут в рамках ISSCC 2014 свои перспективные разработки. Micron планирует представить стек памяти Hybrid Memory Cube (HMC), нацеленный на использование в высокопроизводительных системах. В настоящее время она уже предлагает партнерам ознакомительные образцы 4-Гбайт чипов HMC с производительностью 160 Гбайт/с.
