Samsung начинает производство 3-мерной вертикальной NAND-памяти

Компания Samsung готова начать массовое производство первой в отрасли 3-мерной вертикальной NAND-памяти (V-NAND).

Ячейки в такой памяти расположены как по горизонтали, так и по вертикали. Подобное решение позволяет не только сэкономить свободное пространство, но и увеличить ёмкость памяти и скорость её работы.

Об этом пишет HITech.Expert со ссылкой на mobiset.ru.

Новые чипы памяти имеют ёмкость 128 ГБ, а их максимальная ёмкость может достигать 1 ТБ. И это говорит о том, что вскоре у производителей может отпасть необходимость использования слота для карт памяти microSD.

Вполне возможно, что флагманские смартфоны, которые появятся на рынке в следующем году, уже будут оснащаться новыми чипами памяти.