Intel и Micron начали поставки NAND-памяти «три бита на ячейку»

Корпорация Intel и компания Micron Technology начали поставки NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек, каждая из которых способна хранить три бита данных (3 bit per cell, 3bpc). Новые микросхемы изготавливаются в соответствии с нормами 25-нанометрового техпроцесса, благодаря чему достигается наибольшая емкость при наименьших размерах.

Поставки образцов микросхем производятся некоторым производителям, а серийное производство планируется начать к концу текущего года.

Новые модули памяти 3bpc, изготавливаемые с применением 25-нм техпроцесса, вмещают по 64 Гбит данных. По сравнению с продуктами предыдущих поколений они обладают меньшей себестоимостью и увеличенной емкостью и предназначены для USB-накопителей, карт памяти и потребительской электроники.

Новая технология разработана совместным предприятием IM Flash Technologies* (IMFT). В модулях NAND 64 Гбит (8 ГБайт) каждая ячейка хранит по три бита данных против двух бит в технологии предыдущего поколения. Это трехуровневая ячейка (triple-level cell, TLC).

Новый модуль на 20% компактнее по сравнению с другими модулями аналогичной емкости, производимыми Intel и Micron на базе технологии 25 нм MLC и в настоящее время являются самым миниатюрным чипом емкостью 8 Гбайт в серийном производстве. Компактность играет важную роль для карт памяти. Площадь изделия составляет 131 мм2, оно помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP).

Пластина с NAND-памятью «три бита на ячейку» по 25 нм-процессу
Пластина с NAND-памятью «три бита на ячейку» по 25 нм-процессу

«Мы начали выпуск самых миниатюрных модулей NAND по нормам 25-нм техпроцесса, еще в январе, — рассказывает Том Рэмпоун (Tom Rampone), вице-президент и генеральный директор Intel NAND Solutions Group. – Теперь мы освоили стандарт 3bpc. Это говорит о способности разработчиков все время оставаться на пике технологического прогресса, предлагая новые продукты по доступным ценам. Intel ценит опыт IMFT в конструировании и производстве NAND-памяти и будет использовать новые модули в своих решениях».

«С каждым днем NAND-память становится все более важной для потребительской электроники. В связи с этим переход к технологии TLC с применением 25-нм процесса можно назвать конкурентным преимуществом портфеля наших решений, — заявил вице-президент Micron по выпуску флэш-памяти Брайан Ширли (Brian Shirley). — Мы уже приступили к сертификации продуктов на базе 8-гигабит-ных модулей, включая устройтства хранения Lexar Media и Micron».