NXP открывает в США Центр разработки высокоэффективной радиочастотной продукции

Компания NXP Semiconductors объявила об открытии нового Центра разработки высокоэффективной радиочастотной продукции в г. Биллерика, шт. Массачусетс (США). Новое предприятие компании NXP будет фокусироваться на разработке интегральных микросхем радио — и СВЧ -диапазонов, которые применяются для нужд таких отраслей с повышенными требованиями к характеристикам продукции как оборонная и авиационно- космическая индустрия, а также для производства радиоприемников спутниковой связи промышленного, научного и медицинского (Industrial, Scientific and Medical, ISM) частотных диапазонов и устройств широкополосной связи.

В новом инженерно–конструкторском Центре будут применяться и совершенствоваться уникальная интеллектуальная собственность, продуктовое портфолио, технологическая база и производственные возможности компании NXP, что позволит компании еще больше упрочить свои позиции на растущем рынке радиочастотной и СВЧ- продукции.

Открытие Центра на восточном побережье США в относительной близости к аналогичным проектным центрам компании во Франции и Нидерландах создаст дополнительные возможности по обеспечению технической и консультационной поддержкой клиентов NXP в Южной и Северной Америке.

Продуктовый портфель высокочастотных решений (RF) компании NXP занимает уникальное положение на рынке благодаря широкому спектру технологических процессов собственной разработки. Богатый ассортимент радиочастотной продукции компании простирается от мощных LDMOS- транзисторов, применяемых в усилителях мощности до новейших технологических разработок в области технологий БиКМОП на основе кремний- германия с добавлением углерода (SiGe: C BiCMOS), применяемых в составе монолитных интегральных микросхем СВЧ- диапазона с регулировкой по частоте. Замыкают же линейку радиочастотных устройств компании передовые КМОП- разработки для быстродействующих аналого- цифровых преобразователей. Все эти технологические решения разрабатываются и производятся внутри компании, поэтому они создаются под конкретные нужды определенных приложений.

«Новый Центр разработки продукции будет использовать богатый 50- летний опыт внедрения, оптимизации и локализации новаторских решений в области разработки радиочастотной продукции, направленной на расширение возможностей компании по удовлетворению запросов своих клиентов и созданию новых уникальных способов применения разрабатываемых ею решений, – говорит Джон Крото, старший вице- президент и генеральный управляющий подразделения компании NXP Semiconductors по разработке радиочастотных и осветительных систем. – Технологический процесс, компоновка элементов и внедрение инновационных методов разработки микросхем остаются «тремя китами» нашей стратегии, позволяющими нам занимать лидирующие позиции в области создания высокотехнологичных решений, таких как кремний- германиевые полупроводниковые элементы с внедрением атомов углерода (SiGe: C), металло- оксидные полупроводниковые элементы с поверхностной диффузией (LDMOS) и цифровые интерфейсы преобразования данных стандарта JESD204A».