Компания Samsung Electronics первой в отрасли начала массовое производство микросхем флеш-памяти NAND с 3-битной архитектурой многоуровневых ячеек (MLC).
Новые микросхемы выпускаются с конца ноября по технологическим нормам 30-нанометрового класса. Эти микросхемы будут использоваться во флеш-модулях NAND в сочетании с фирменными контроллерами памяти NAND с 3-битными ячейками. Вначале на базе таких флеш-модулей Samsung планирует выпускать карты памяти micro Secure Digital (microSD) емкостью 8 гигабайт (ГБ).
«Рентабельная технология 30-нанометрового класса для производства микросхем NAND с 3-битными ячейками расширяет наши возможности по выпуску решений на базе флеш-памяти NAND для все более разнообразных приложений, – отметил Суин Чо, исполнительный вице-президент и генеральный директор подразделения памяти Samsung Electronics. – Флеш-память Samsung NAND с 3-битными ячейками даст возможность предлагать потребителями более рентабельные и высокоемкие решения для хранения информации».
Чипы памяти NAND с 3-битной многоуровневой архитектурой ячеек повысят эффективность накопителей на базе NAND на 50 % по сравнению с 2-битными чипами MLC NAND. Новые 3-битные микросхемы позволят создавать эффективные накопители на основе памяти NAND в формфакторах USB-устройств, а также карт microSD.
В 2005 году Samsung представил запоминающее устройство на чипах MLC NAND емкостью 16 Гб, выполненных по технологическим нормам 50-нанометрового класса. Массовое производство микросхем NAND с 3-битной архитектурой многоуровневых ячеек по технологическому процессу 30-нанометрового класса позволит создавать высокоемкие чипы (32 Гб и более) для хранения видео.
