3bpc NAND — новая технология от Intel и Micron для чипов памяти

Intel и Micron Technology сообщили о новой технологии производства NAND-памяти на базе многоуровневой структуры ячеек, при которой каждая ячейка способна хранить три бита данных. Эта технология, названная 3bpc NAND, основана на 34-нанометровом процессе и предназначена для изготовления чипов памяти, которые применяются в устройствах хранения данных — картах памяти и твердотельных накопителях (SSD).

Новая технология была разработана и запущена в производство IM Flash Technologies (IMFT) — совместным предприятием Intel и Micron Technology. Благодаря возможности осуществлять запись в каждую ячейку NAND-памяти трех битов данных компаниям удалось добиться рекордного повышения эффективности затрат на производство 32-гигабитных чипов. Кроме того, выпускаемые на базе данной технологии микросхемы памяти являются самыми миниатюрными на рынке: они занимают площадь 126 мм2. В настоящее время Micron поставляет образцы новых микросхем для тестирования. Массовое производство намечено на IV квартал 2009 г. Разработка 3bpc NAND является важным этапом на пути стратегического развития отрасли, поскольку отвечает современным потребностям ключевых сегментов рынка и способствует прогрессу в области миниатюризации устройств.

«Переход к 3bpc NAND свидетельствует о достижениях, которых Intel и Micron добились в процессе разработки 34-нм памяти, – отмечает вице-президент Intel и генеральный директор NAND Solutions Group Рэнди Вильгельм (Randy Wilhelm). — Этот прорыв создает основу для внедрения технологии 2xnm, помогат сократить производственные затраты и придать NAND-продуктам новые характеристики».

«Развитие технологии 3bpc NAND является важной вехой в реализации нашей стратегии, — рассказывает вице-президент подразделения Micron по разработке флэш-памяти Брайан Ширли (Brian Shirley). — Мы продолжаем работу по миниатюризации NAND-памяти с тем, чтобы улучшить продукты на ее основе. Последние новости подтверждают, насколько продвинулись Micron и Intel в освоении 34-нанометрового техпроцесса при производстве NAND-памяти. До конца текущего года мы планируем представить еще одну технологическую разработку – 2xnm».