Samsung будет изготовливать GDDR5-память

Samsung официально объявляет о начале серийного изготовления высокопроизводительных интегральных микросхем графической памяти стандарта GDDR5.

Разработанные с учетом максимальной производительности в 7,0 Гбит/с полупроводниковые устройства, которые изготовлены по 50-нм технологическому процессу, позволят организовать подсистему памяти графических адаптеров с пропускной способностью 28 Гб/с. Таким образом, указанный параметр будет увеличен сразу в два раза, по сравнению с пропускной способностью подсистемы памяти на основе микросхем стандарта GDDR4.

Благодаря освоению прецизионной 50-нм технологии изготовления интегральных микросхем компания Samsung ожидается увеличение эффективности изготовления устройств на 100%, по сравнению с 60-нм техпроцессом. Что же касается потребляемой мощности, то она, благодаря снижению рабочего напряжения с 1,8 Вольт до 1, 35 Вольт, будет снижена примерно на 20%.

Благодаря выпуску указанных интегральных микросхем графической памяти, компания Samsung рассчитывает уже в 2009 году завоевать до 20% всего рынка памяти для графических адаптеров, пишет 3dnews.ru.

В Украине протестировали скорость 5G, что превзошло все ожидания, а один из операторов готовит платформу для внедрения 5G.

В то же время Киевстар сделал 4G безлимитным, но пока не готов внедрять 5G.

-->