UMC выпустила SRAM по 28 нм-процессу

Тайваньская компания UMC, United Microelectronics Corporation, объявила о новом рекорде в отрасли производства ОЗУ: выпущены первые чипы SRAM (статической оперативной памяти), выполненные полностью по 28 нм — техпроцессу.

Микросхемы созданы на основе разработанной в UMC технологии низких утечек. В результате применения двухсторонней литографии и технологии деформированного кремния разработчикам UMC удалось создать чипы, которые отличаются необыкновенно малыми ячейками для транзисторов — приблизительно 0,122 квадратных микрон, сообщает ITnews.

UMC видит два способа применения своей 28-нанометровой технологии: для создания интегральных схем различных мобильных устройств, в первую очередь, мобильных телефонов (будут использоваться транзисторы с кремниевыми затворами) и для изготовления процессоров и GPU (будут применяться транзисторы с металлическими затворами).