SK Hynix розробляє найшвидшу у світі пам’ять HBM3E DRAM, призначену для AI-індустрії

SK Hynix представила свою останню інновацію в галузі DRAM – пам’ять HBM3E, революційний продукт, спеціально розроблений для додатків штучного інтелекту. Цей анонс закріплює домінування компанії в секторі надвисокопродуктивної пам’яті. Зразки вже розповсюджуються серед клієнтів для перевірки продуктивності, а масове виробництво почнеться в 1П24.

HBM3E досягає приголомшливої швидкості обробки даних 1,15 ТБ/с

HBM (High Bandwidth Memory – пам’ять з високою пропускною здатністю) – це стек з декількох мікросхем DRAM, розташованих вертикально, що значно підвищує швидкість обробки даних. Еволюція пам’яті HBM DRAM пройшла шлях від першого покоління HBM до останнього, п’ятого покоління HBM3E. Зокрема, HBM3E є вдосконаленою версією своєї попередниці, HBM3.

Компанія SK Hynix, яка має багаторічну історію виробництва HBM, прокоментувала цей реліз так: “Як ексклюзивний виробник HBM3, наша розробка найкращої у світі HBM3E демонструє нашу глибоку експертизу та прагнення до лідерства на ринку пам’яті для штучного інтелекту”. Компанія планує розпочати масове виробництво цієї передової пам’яті в першій половині наступного року.

HBM3E може похвалитися приголомшливою швидкістю обробки даних – 1,15 терабайта в секунду. Для порівняння, це означає, що він здатний обробляти 230 повних фільмів високої чіткості (FHD), кожен розміром 5 гігабайт, всього за одну секунду.

Окрім високої швидкості, цей продукт використовує новітню технологію Advanced MR-MUF, яка покращує розсіювання тепла на 10% порівняно з попереднім поколінням. Крім того, HBM3E має зворотну сумісність. Ця функція забезпечує плавний перехід для клієнтів, дозволяючи інтегрувати HBM3E в існуючі системи на базі HBM3 без необхідності вносити будь-які зміни в дизайн.

Довготривале партнерство між NVIDIA та SK Hynix ще більше зміцнює потенціал HBM3E. Ян Бак (Ian Buck), віце-президент підрозділу NVIDIA з гіпермасштабних і високопродуктивних обчислень, висловив ентузіазм щодо майбутнього співпраці, підкресливши потенціал нового HBM3E в революційних обчисленнях ШІ.

Samsung також планує розпочати масове виробництво чіпів HBM, пристосованих для ШІ, у другій половині 2023 року, безпосередньо конкуруючи з SK Hynix. У 2022 році SK Hynix займала 50% ринку HBM, Samsung – 40%, а решта 10% припадала на Micron. Ринок HBM становить лише 1% від загального сегменту DRAM.