NAND-технологии SanDisk и Toshiba на 43 нм

SanDisk запустила производство многоуровневой (MLC) флэш-памяти NAND с использованием 43-нанометрового технологического процесса, совместно разработанного с корпорацией Toshiba.

Эта продвинутая технология обеспечивает двойную плотность на чип по сравнению с 56-нанометровым 16-гигабитовым технологическим процессом, таким образом, понижая стоимость кристалла при идентичной производительности и надежности. В течение второго квартала 2008 SanDisk намерен начать поставку продуктов, изготовленных с использованием самой высокоплотной в индустрии одночиповой MLC флэш-памяти NAND.

«Мы рады открытию производства нового поколения по 43-нанометровому процессу, что позволит значительно снизить стоимость флэш-памяти NAND MLC», — сказал Рандхир Такур (Randhir Thakur), исполнительный вице-президент SanDisk по технологии и глобальным операциям. «Особенности технологии включают запатентованную SanDisk архитектуру All Bit line (ABL) с эффективными алгоритмами программирования и 8-килобайтным размером страницы, обеспечивая высокоэффективные возможности. Современная литография, другие новшества технологического процесса, а также первая в индустрии 64-NAND строковая архитектура обеспечивают низкую стоимость за мегабайт и превосходную производительность. Технологический процесс 43 нм станет нашим главным фокусом в 2008 году, поскольку мы продолжаем обеспечивать передовую технологию и низкую стоимость для наших клиентов», — добавил он.

Продолжая свое лидерство в разработке и внедрении передовой NAND flash технологии, SanDisk начал переход к 43-нанометровому производству на фабрике Toshiba Yokkaichi Operations около Нагои, Япония. SanDisk и Toshiba совместно используют готовую продукцию фабрики Yokkaichi и вместе разработали многие из конструкций и технологий в MLC NAND flash. Новая 43 нм flash-память будет первоначально производиться на Fab 4, новом оборудовании по выпуску 300-миллиметровое кремниевых пластин, которое недавно открыли SanDisk и Toshiba. Во второй половине 2008 Fab 3 также перейдет на технологический процесс 43 нм.

43-нанометровое поколение NAND flash-памяти, объединенное с системными инновациями и проприетарными контроллерами SanDisk, как ожидается, позволит развиваться новым рынкам, таким как полупроводниковый жесткий диск (Solid State Drives, SSD) и iNAND, расширить возможности flash-хранилищ для быстро растущего рынка мобильной связи, а также увеличить лидерство в дифференцированных высокоэффективных производственных линиях.