IBM и Hitachi договорились на околоатомарном уровне

Корпорации IBM и Hitachi объявили о подписании уникального двухлетнего соглашения о проведении совместных исследований в области метрологии полупроводниковых элементов.

Цель этой инициативы – ускорение инноваций в полупроводниковой индустрии. IBM и Hitachi впервые заключают партнерское соглашение о сотрудничестве в сфере полупроводниковых технологий; в настоящее время обе компании совместно работают над созданием и совершенствованием мощных корпоративных серверов и других продуктов.

Миниатюризация транзисторов, как движущая сила улучшения производительности компьютерных чипов, активно «проникает» в 32- и 22-нанометровые производственные процессы изготовления электронных устройств следующего поколения. Размеры этих будущих крохотных полупроводниковых элементов составляют миллиардные доли метра, т.е. лежат в нанометровой области, и эффекты на этом уровне могут оказывать существенное влияние на электрические характеристики отдельных транзисторов.

Новое партнерство IBM и Hitachi будет направлено на исследования в области 32-нанометровых (и еще более «миниатюрных») полупроводниковых техпроцессов. Будут применяться новейшие методики, включая последние технологии для анализа полупроводниковых структур и измерения характеристик элементов. Исследователи стремятся глубже проникнуть в тайны физических процессов, происходящих в полупроводниковых микроустройствах, и ставят перед собой практическую задачу улучшения методологии измерения отклонений параметров транзистора от номинальных величин и определения факторов, влияющих на этот разброс значений. В совместных работах, которые будут проводиться в исследовательском центре IBM им. Томаса Дж. Уотсона (Thomas J. Watson Research Center) в городе Йорктаун Хейтс, штат Нью-Йорк, и в центре нанотехнологий Albany NanoTech Complex при колледже научных и прикладных исследований в области нанотехнологий (College of Nanoscale Science and Engineering) в городе Олбани, штат Нью-Йорк, примут участие ученые и технические специалисты обеих компаний, а также Hitachi High-Technologies – дочерней фирмы Hitachi.

«Огромный опыт и передовые методики Hitachi для определения характеристик полупроводниковых элементов, и большие достижения и возможности IBM в исследовании КМОП-структур помогут обеим компаниям ускорить внедрение инноваций в 32-наномеровый производственный процесс изготовления микросхем, а также в другие перспективные полупроводниковые технологии, — подчеркивает Берни Мейерсон (Bernie Meyerson), вице-президент IBM по стратегическим альянсам и главный технический директор подразделения IBM Systems & Technology Group. — Объединив индивидуальный исследовательский потенциал и интеллектуальная собственность, мы сможем существенно снизить затраты на научные исследования, связанные с развитием полупроводниковых технологий следующего поколения».

«Значительные успехи, которых добилась Hitachi в области аналитических измерительных приборов и физики полупроводников, стимулируют дальнейшие исследования и разработки перспективных полупроводниковых технологий, — говорит Эйджи Такеда (Eiji Takeda), вице-президент и исполнительный директор Hitachi, Ltd и генеральный менеджер подразделения Research & Development Group. — Наши компании связывает долгая история успешного делового сотрудничества, и мы надеемся на распространение нашего партнерства в научно-исследовательскую сферу полупроводниковой метрологии».

В рамках анонсированных сегодня совместных исследований IBM и Hitachi намерены изучить возможности дальнейшей миниатюризации транзисторов.